APEC: SiC potentzia eta hodeiko tresna aurreratuak

Bilaketa-gaitasunak hobetu egin dira, eta gailu eta plaka bateragarriak hautatzea ahalbidetzen duen karrusel estiloko menu bat dago, enpresak dio: "Ingeniariek osagai bideragarrien eta sistema-irtenbideen aukerak murriztu ditzakete eta sistemaren errendimenduan konfiantza izan dezakete lanean hasi aurretik. hardware bilaketak eta haien diseinuak osatzen"

APECen egindako erakustaldien artean, Mosfet Onh ​​​​NVHL080N120SC1 SiC (1200 V, > 30A, ~ 80 mOhm, TO247) SiC (1200 V, > 30A, ~ 80 mOhm, TO247) PFC (potentzia-faktorearen zuzenketa) PFC (potentzia-faktorearen zuzenketa) trifasikoko 11 kV (100 kHz). NCP51705 ate kontrolatzailea - SiC Mosfet desaktibatzen duen alborapen negatiboa sortzeko karga-ponpa bat barne.

Lurrean eFuse

Era berean, eFuse, automatizazio industrialerako "sentsore pasibo adimendunak", dentsitate handiko USB-PD (potentzia emateko) irtenbidea, besarkada aktiboaren feedback-begizta eta motor-gidariaren potentzia-moduluak egongo dira.

Strata sustatzeko, "Diseinatzaile baten nahi-zerrenda asebetetzea tresna-kutxa bakarrean behar dituzun tresna guztiekin" izenburua duen lan bat aurkeztuko da (martxoak 19, 13:30, 303AB aretoa).

Beste aurkezpen bat: “Ezaugarriak, fidagarritasuna eta irteera modernoan